En esta colección
Fotolitografía de obleas
Espejos para ultravioleta extremo (13,5 nm), refracción en fluido de inmersión, química de fotorresinas y retículas de cambio de fase.
Crecimiento de silicio y corte de obleas
Extractores de crisol de silicio fundido por método Czochralski, lingotes monocristalinos sin dislocaciones, corte de diámetro interno y pulido químico.
Deposición química de vapor y capas atómicas
Pulsos de saturación de gas precursor, deposición térmica a baja presión, recubrimiento conforme de escalones y películas dieléctricas de puerta.
Implantación de iones en silicio
Espectrómetros de masa magnéticos, aceleración del haz por alta tensión, daños por desplazamiento en la red cristalina y recocidos térmicos rápidos.
Pulido químico-mecánico (CMP)
Suspensiones de sílice coloidal, almohadillas de pulido de poliuretano, fuerza descendente del cabezal de oblea y equilibrio de perfiles de erosión de óxido.
Estructuras de transistores FinFET y GAA
Relaciones de aspecto en aletas de transistores FinFET, apilamiento de nanoláminas de puerta completa (GAA), movilidad de portadores en el canal y reducción de barrera inducida por el drenador.
Grabado químico por plasma seco
Grabado por iones reactivos, química de gases halógenos, polímeros de pasivación de paredes laterales y zanjeado profundo con alta relación de aspecto.
Encapsulado de circuitos y vías de silicio
Vías a través de silicio (TSV), interpositores de silicio, microprotuberancias de cobre, material de relleno inferior para chip invertido e interfaces térmicas de dispersores de calor.
Las máquinas complejas merecen
una mirada más cercana.
Seguimos las fuerzas, explicamos los compromisos y distinguimos pruebas de supuestos.
Nuestro enfoque